前言

本作發售至今已經有一個月。 鑑於遊戲中改變了部分操作方式因而使難度較系列前作有所下降(詳見之前的評測文),流程中又可以反复刷晶體來增加最大初始機數,因此爆機對各位玩家來說應該不存在什麼太大的問題。 但在ARCADE模式中,分數的高低同玩家的墜機與否息息相關,因此接下來為大家詳細介紹下各大BOSS的攻擊方式和特性,以便知己知彼,百戰不殆。 BOSS的順序以流程中出現順序為準,共11個;因為本作的BOSS RUSH分為三段且無法計分計時,因此重複挑戰性大大下降。

特殊武器

1.特殊武器Seka VR :每次消耗能量25%,類似《魔獸3》中英雄先知的閃電鏈,對敵機進行約10次的彈跳攻擊,在對付大批雜兵時有較好效果;攻擊力低,鑑於其跟踪攻擊的特性,攻擊boss的弱點時不必刻意調整準星,效果同樣較好。

2.特殊武器Raydion :每次消耗能量33%,發射後沿直線前進,碰觸到敵人發生爆炸,威力中等,對付某些弱點處密集的BOSS效果好。

3.特殊武器Garan Q :每次消耗能量33%,持續時間約3秒鐘的護體電網,攻擊力高。 由於僅在俯視戰和環繞中可以使用,因此不適合作為BOSS戰的武器。

4.特殊武器Eyram/XS :每次消耗能量33%,圍繞主機產生三股環繞離子炮,在與敵人接觸後會不斷消耗,攻擊力在所有武器中最高,同樣是適合於俯視流程戰勝於BOSS戰。

BOSS戰中出現的雜兵

BOSS:Dunkleosteus處出現,血量低,無自主攻擊能力。

BOSS:Nano stray處出現,血量中等,攻擊方式發射綠色光彈。

BOSS:Cyronex處出現,速度快,血量低。

BOSS:Arthropode處出現,血量較高,速度快。

  

BOSS

1.BOSS名稱:Trilobite

作為流程中首個BOSS,血量低,攻擊方式少。

戰斗方式:環繞戰

推薦特殊武器:Seka VR

BOSS弱點:紅色內核

攻擊方式1:

五向散彈,間隙較大,注意自己的移動慣性,不要主動撞上。 BOSS弱點:紅色圓形內核。

攻擊方式2

(血量低於80%)

BOSS本體會突然發射激光,速度快,最好保持自機的不斷移動,注意不要陷入激光和地面升起構成的死角;石塊的血量低,在全速左行/右行中仍可將其擊破。

攻擊方式3

(血量低於50%)

在攻擊方式1、2的基礎上,增加釋放綠色跟踪噴霧,速度慢。 保持自機不斷移動和火力集中優先攻擊石塊即可。

2.BOSS名稱:Archelon

戰斗方式:追尾戰

推薦特殊武器:Seka VR

BOSS弱點:雜兵、眼睛

攻擊方式1:

釋放雜兵攻擊,雜兵數量多,推薦使用特殊武器攻擊;擊落可使BOSS本體的血量下降,同時注意BOSS觸手釋放的紅色光球;自機的準星應盡量保持與機身較近的距離,以保護自機免遭漏網的雜兵攻擊。

攻擊方式2

(血量低於80%時):

打開觸手後的BOSS也將弱點暴露了出來,火力集中攻擊BOSS的眼球。 BOSS身邊會出現沿圓形軌道繞圈的光波,繞彎約3圈就會自左右向自機發起攻擊,速度較慢,往反方向躲避即可;後期會出現連續的左右光球攻擊,按照一定節奏躲避,不要被逼入死角。

攻擊方式3

(血量低於50%):

戰機移動到了BOSS的正上方,BOSS會按照“十”字形狀放出大量的紅色光球,保持自機在屏幕邊緣位置可以方便躲避,注意操作準星攻擊BOSS的同時不要讓自機撞上敵彈。

3.BOSS名稱:Dunkleosteus

戰斗方式:環繞戰

推薦特殊武器:Seka VR

BOSS弱點:凸起物、觸手、雜兵、中心細胞核

攻擊方式1:

BOSS表面的五個凸起物在旋轉的同時發射3個一組的光彈,易躲避,5個弱點均擊破後進入下一階段。


攻擊方式2

(血量低於90%時):

BOSS的八條觸手會在旋轉的同時上下擺動,傷害判定大,攻擊其頭部可擊破;自機在移動至途中光亮點是會被傳送至另一平台,需注意的是光亮點在使用後會消失一段時間,玩家應算好提前量,以免在平台盡頭被觸手擠死。 8條觸手擊破後進入下一階段。

攻擊方式3

(血量低於80%時):

類似第一階段,凸起物發出的光彈變得更加密集,在間隙中躲避的難度很大(本作的中彈判定巨大,範圍甚至超過自機大小),對於光亮點出現時機的把握尤為重要。

攻擊方式4

(血量低於70%時):

BOSS釋放半透明的雜兵Cubo,輪流自左右向自機移動攻擊,不斷控制左右進行射擊,配合自機微移調整即可。

攻擊方式5

(血量低於60%時):

BOSS本體不斷的發射光霧狀攻擊,速度較快而間隙大,躲避較第三階段容易;等BOSS的外衣脫落後,攻擊其紅色內核處可使其迅速損血。

4.BOSS名稱:Hybodus

戰斗方式:追尾戰

推薦特殊武器:Raydion

BOSS弱點:中心部分

攻擊方式1:

BOSS本體釋放4個一組的雜兵,雜兵血量較厚,不使用特殊武器的話建議躲避。

攻擊方式2:

BOSS的自身撞擊攻擊,看到BOSS高速自轉時即可全速移動,BOSS的撞擊週期為2個一組。

攻擊方式3:

三條光波的追踪攻擊,速度快,在其出現後應立刻看準方向躲避,同時伺機將準星對準BOSS的中心攻擊。

本BOSS的攻擊方式會依1-3項反复循環,BOSS的血量較低,特殊武器可幫助快速擊破。

5.BOSS名稱:Echiura

戰斗方式:俯視戰

推薦特殊武器:Seka VR

BOSS弱點:頭部和尾部的旋轉凸起物

第一階段:

頭部的五個深紅色凸起物在旋轉的同時不斷發射3個一組的光彈,在如同的位置邊同速移動邊斜45度攻擊即可,擊破每一個凸起物都可以得到特殊武器的補給;全部擊破進入下一階段。

第二階段:

尾部發射跟踪綠霧,BOSS本體的防衛較薄弱,靠近並不斷繞圈結合射擊方向的改變可以很快的擊破。

第三階段:

頭部放出層層的光圈,光圈的缺口處大約4個機體身位的大小,注意自機的普通攻擊會被光圈所擋住,建議使用特殊攻擊攻擊;對於擊破凸起物後的補給不要貪心,獲得的危險性較大。

第四階段同第二階段一樣,不再贅述;

第五階段:

BOSS的頭部上下兩部分釋放光彈+跟踪霧的組合,同第一階段一樣,盡量利用斜45度攻擊凸起物,注意空隙處的噴霧,保持耐心,遇到密集的攻擊可以躲避到星球表面的中間處。

6.BOSS名稱:Cynoteus

戰斗方式:追尾戰

推薦特殊武器:Raydion

BOSS弱點:橙色柱狀物、蟲狀物

攻擊方式1:

四個橙色弱點處釋放3個一組的光彈,光彈釋放後看似速度較慢,靠近屏幕時會瞬間變快,自機移動需計算提前量;躲避的同時調整準星攻擊弱點處。

攻擊方式2:

弱點處為圖中橙色的四個柱狀物。 四道激光(3D效果超讚)移動攻擊,速度較慢;本機可以由較寬裕的時間調整準星進行攻擊,但要小心不要被兩道激光逼入死角。

攻擊方式3:

BOSS身上的洞中出現條形蟲狀物,注意其綠色光彈,攻擊雜兵即可造成BOSS傷害。

7.BOSS名稱:Nemertea

本關BOSS戰比較特別,是11場BOSS戰中唯一結合了俯視戰操作方式和追尾視點的關卡。

戰斗方式:俯視戰(3D視角)

推薦特殊武器:Eyram/XS

BOSS弱點:BOSS本體

攻擊方式1:

釋放同BOSS同樣形態的雜兵,數量眾多,特殊武器Eyram/XS可較好的應付這種場合,注意自機可同搜尋戰一般前後左右4方移動。

攻擊方式2:

BOSS自身的光球攻擊,時間差規律較難掌握,可控制自機從屏幕最左端向右逐步微移躲避。

攻擊方式3:

BOSS移動至靠近屏幕處,注意自機不要被其腿部碰觸到,停留在畫面中央並使用特殊武器可以較快造成BOSS傷害。

攻擊方式4:

BOSS的左右上肢輪流發射光彈,光彈每4個一組,射速快,體積大,注意自機不要單純的左右移動,前後移動後形成的空隙同樣巨大,方便進行躲避。

8.BOSS名稱:Arthropoda

戰斗方式:追尾戰

推薦特殊武器:Raydion

BOSS弱點:紅色核心、第二階段四足中間的球狀物

攻擊方式1:

BOSS在隧道中懸掛前進,雜兵Amoebe成群出現沿直線向自機襲來,因此微調準星即可全部擊破,之後有較長時間攻擊敵人弱點。

攻擊方式2:

雜兵配合原處高速襲來的閃光彈,不要被灼亮的光晃暈了,看見遠處的光亮時即可開始躲閃。

第二階段,攻擊方式3:

BOSS從天花板掉到了地面,弱點也變為4條腿的中點,特殊武器Raydion可做到一槍一個;同時注意BOSS身體射出的綠色彈即可。

攻擊方式4:

配合雜兵Floater的綠色彈攻擊,鑑於此時BOSS的血量已經很少,所以可以抓緊時間利用特殊武器快速解決。

9.BOSS名稱:Proetide

戰斗方式:追尾戰

推薦特殊武器:Raydion

BOSS弱點:綠色發光點,第二階段的紅色內核

攻擊方式:

隨機方向出現的長條蟲狀物(無法擊破),配合BOSS全身的綠色點發射的光彈,自機的躲避空間受到限制;盡量保持在屏幕中央位置,方便及時反應。


攻擊方式2:

也有出現兩條的,此時需要自機在狹窄的空間裡自上而下逐步移動;利用這時發射raydion,可以同時攻擊到很多的綠色突出物。

攻擊方式3:

內核發射密集的直線紅色光彈,攻擊範圍狹隘,易躲避;反倒是零星的綠色彈很容易成為集中玩家的冷箭,視線應以此為主,對準內核發射Raydion可加速BOSS死亡。

10.BOSS名稱:Cyronex

戰斗方式:追尾戰

推薦特殊武器:Raydion

BOSS弱點:綠色外殼,BOSS本體

攻擊方式1:

BOSS不斷滾動前進,需要在躲避雜兵的同時將其表面的綠色外殼逐塊地擊落,注意上下方的橫梁,靠近時傷害判定較大。

攻擊方式2:

外殼全部擊落後,BOSS會發射一股“Y”型三向旋轉激光,所以玩家在其剛剛落殼後記得不要停留在屏幕中央;三向激光的旋轉速度不快,但是在躲避的同時還要利用較小的活動空間進行準星調整來攻擊BOSS本體比較困難。 這裡要有足夠的耐心,之前的Raydion如果沒有使用在這裡則可啟到關鍵的作用。

攻擊方式3:

不斷跳動的BOSS,前方不斷出現的擋路石不用顧慮,因為跟著BOSS進行直線前進,它自然而然會為你開通道路;同樣需小心上下出現的橫梁,BOSS的跳動使其變得較難瞄準,保持耐心即可,因為此階段的BOSS完全沒有攻擊能力。

11.BOSS名稱:Nanostray

最終BOSS,不過出乎意料的好對付,完全沒有系列作最終BOSS的威武…

戰斗方式:追尾戰

推薦特殊武器:Seka VR

BOSS弱點:隕石狀物體,雜兵Rix、內核

攻擊方式1:

圍成圓圈的小隕石狀攻擊,因為攻擊可以造成BOSS的傷害,因此快速的使用Seka VR全部擊破吧。 約擊破40個進入下一階段。

攻擊方式2

(血量低於80%時):

BOSS身上不斷依次出現細胞Rix,每一個血量中等,攻擊方式為綠色快速光彈,爭取在其剛出現時就逐一擊破,不要讓它們形成密集的火力網。

攻擊方式3

(血量低於50%時):

BOSS的關鍵內核暴露,攻擊方式為多條追踪光術,光束的攻擊速度慢,有充裕的時間進行準星調整。

希望這篇文章能對各位在挑戰1命BOSS RUSH和高分ARCADE模式玩家可以有所幫助,也希望3DS上能出現越來越多像本作一樣,優秀的STG。

作者:巴士速攻-獨腳俊來源:bbs.tgbus.com

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